射频磁控溅射法制备SnS2薄膜结构和光学特性的研究

• 作者: 于永强 刘丹丹 史成武 李学留 梁齐
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnS2薄膜 射频磁控溅射 光学特性 异质结器件
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 1521-1531
• 页数: 11页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 6489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163712.1521

摘要

采用射频磁控溅射法溅射SnS2靶，在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品，研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射( XRD)和拉曼光谱( Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱( EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计( UV-Vis-NIR)对SnS2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试，计算或分析了SnS2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明：制备SnS2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下，所制备的SnS2薄膜沿(001)晶面择优取向生长，可见光透过率和折射率较高，消光系数较小，直接带隙为2.81 eV。在此基础上，进一步制备了n-SnS2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性，反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于永强	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	11	38	4.0	5.0
2	史成武	合肥工业大学化学与化工学院	43	476	11.0	20.0
3	梁齐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	47	197	7.0	10.0
4	李学留	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	23	3.0	4.0
5	刘丹丹	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	9	22	3.0	4.0