氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

• 作者: 刘石勇 唐鹿 李旺 杜江萍 罗哲 薛飞 辛增念
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压化学气相沉积 ZnO薄膜 光学性能 载流子浓度 霍尔迁移率
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 1496-1501
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TN304
• 字数: 3453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163712.1496

摘要

采用低压化学气相沉积( LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO( BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明：在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。 Hall测试结果表明：在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐鹿	江西科技学院协同创新中心	15	18	2.0	4.0
2	薛飞	江西科技学院协同创新中心	8	4	1.0	2.0
3	李旺	江西科技学院协同创新中心	10	5	1.0	2.0
4	刘石勇		9	20	2.0	4.0
5	罗哲	江西科技学院协同创新中心	8	4	1.0	2.0
6	辛增念	江西科技学院协同创新中心	5	4	1.0	1.0
7	杜江萍	江西科技学院管理学院	6	3	1.0	1.0