镉胁迫对豨莶生长及光合作用相关参数的影响

• 作者: 张世熔 徐小逊 董袁媛 蒲玉琳 邓玉兰 霍庆霖
• 来源期刊: 农业环境科学学报
• 关键词: 豨莶 镉胁迫 光合色素 气体交换参数 叶绿素荧光参数
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 污染生态
• 页码范围: 1672-1679
• 页数: 8页
• 分类号: X171.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.11654/jaes.2016-0573

摘要

为进一步揭示超积累植物豨莶（Sigesbeckia orientalis L.）对镉（Cd）的耐受机制，本文通过土壤盆栽试验，研究了豨莶在 Cd胁迫下生长及光合作用相关参数的变化规律。结果表明，当 Cd 浓度为10 mg·kg-1时，豨莶生长、光合色素与对照相比无显著性差异（P﹥0.05），表明豨莶在低浓度 Cd 处理下具有较强的生长适应性。高浓度 Cd 胁迫下豨莶能维持较高的叶绿素 a/叶绿素 b 比值，有助于豨莶对 Cd 的耐受。Cd 胁迫使叶片净光合速率（Pn）、气孔导度（Gs）、蒸腾速率（Tr）和气孔限制值（Ls）逐渐降低，但胞间二氧化碳浓度（Ci）随着 Cd 浓度的升高而逐渐增大，表明豨莶光合速率的下降是由非气孔限制因素引起的。植株叶片最大光化学量子产率（Fv/Fm）、电子传递的量子产率（ΦPSⅡ）、表观光合电子传递速率（ETR）和光化学淬灭系数（qP）随 Cd 浓度的升高而逐渐降低，而非光化学淬灭系数（NPQ）则呈现先升高后降低的趋势，表明豨莶光合机构对 Cd 胁迫有一定的耐受能力。上述结果表明，豨莶叶绿素a/叶绿素 b、Fv/Fm 比值以及 NPQ 数值的变化与豨莶对 Cd 的光合适应性有关，在 Cd 耐受中有一定的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世熔	四川农业大学环境学院	175	3217	30.0	50.0
2	徐小逊	四川农业大学环境学院	40	363	11.0	17.0
3	蒲玉琳	四川农业大学环境学院	30	648	13.0	25.0
4	董袁媛	四川农业大学环境学院	4	28	4.0	4.0
5	邓玉兰	四川农业大学环境学院	3	22	3.0	3.0
6	霍庆霖	四川农业大学环境学院	4	28	4.0	4.0