基于180 nm COMS工艺的低功耗温度传感器电路设计

• 作者: 杨华 林卓彬
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 温度传感器 温度-频率转换器 PTAT 低功耗
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 1140-1144
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.11
• 字数: 3028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.05.024

摘要

为降低温度传感器的功耗，提出一种结构简单的片上温度-频率转换器电路。该转换器能够根据与绝对温度成比例PTAT（Proportional To Absolute Temperature）的电流检测出温度，利用源极耦合多谐振荡器电路，将温度等效PTAT电流转换成频率。提出的电路采用标准180 nm CMOS技术设计，面积约为0.061 mm2。通过多次实际测量，结果显示：当电源电压为0.8 V±10%时，该温度传感器能够在-43℃~+85℃的温度范围内良好工作，并且经过单点校正之后，最大温度误差小于±1℃。当电源电压为0.8 V时，+85℃条件下的平均功率损耗仅为500 nW。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨华		14	32	4.0	5.0
2	林卓彬		10	15	2.0	3.0