目的:通过盆栽试验研究施加外源硅对盐胁迫下甘草叶片显微结构的影响.方法:设置2个盐水平,分别为12 g NaCl/kg干土、15 g NaCl/kg干土,同时设置对照(CK).以硅酸钾(K2SiO3-nH2O化学纯)作为硅源,选择给15 g/kg盐处理添加硅0.6g/kg,利用光学显微镜、石蜡切片技术进行观察与分析.结果:不同浓度NaCl处理下的甘草叶片解剖结构与对照相比发生了显著变化,表现为叶肉细胞数目减少、细胞形状改变、排列松散,部分细胞破裂,施加外源硅后靠近栅栏组织处的海绵细胞转变为栅栏组织,叶肉细胞排列紧密且细胞结构完整,维管束面积增加,木质部导管数目有所增多.结论:表明盐胁迫对甘草叶片细胞显微结构具有损伤作用,施加外源硅可在一定程度上缓解盐胁迫对甘草叶肉细胞、维管束结构的损害,维持正常的细胞形态.