氧分压对 NiOx 薄膜微结构和电阻开关特性的影响

• 作者: 张祎杨 朱华星 王瑞雪 邱晓燕 霍进迁
• 来源期刊: 西南大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: NiOx 薄膜 微结构 电阻开关特性
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学与化学
• 页码范围: 133-137
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13718/j.cnki.xdzk.2016.01.021

摘要

利用磁控溅射方法在镀Pt的Si（100）衬底上沉积制备NiO x 薄膜，研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特性的影响．微结构观测分析结果表明：在20％氧分压下，可获得沿[200]晶向择优生长的N iO x 多晶薄膜，薄膜表面平整致密，晶粒平均直径约为13.8 nm ，垂直衬底生长形成柱状晶粒结构．磁性测试结果显示薄膜具有典型的铁磁性磁化曲线，但薄膜饱和磁矩随着氧分压增加急剧降低．电学测试结果表明20％氧分压氛围下沉积制备薄膜样品的电流电压曲线呈现出典型的双极性电阻开关特性：在－0.6 V读取电压下，可获得大于10的高／低电阻态阻值比．指数定律拟合电流电压实验曲线表明：薄膜低电阻态漏电流为欧姆接触电导；而薄膜处于高电阻态时，低电压下的漏电流仍以欧姆接触电导为主，高电压下则以缺陷主导的空间电荷限制电流为主．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞雪	西南大学物理科学与技术学院	11	2	1.0	1.0
2	邱晓燕	西南大学物理科学与技术学院	19	12	2.0	3.0
3	霍进迁	西南大学物理科学与技术学院	3	1	1.0	1.0
4	张祎杨	西南大学物理科学与技术学院	3	1	1.0	1.0
5	朱华星	西南大学物理科学与技术学院	4	1	1.0	1.0