脉冲激光沉积法制备ZnSnO3薄膜

• 作者: 刘小辉 房丽彬 朱俊 郑林辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积法 LiNbO3型ZnSnO3 微观结构 氧气压 沉积温度 ZnO
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.06.010

摘要

采用脉冲激光沉积法(PLD),在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备LiNbO3型ZnSnO3薄膜.通过改变生长过程中的氧气压、生长温度等实验条件,研究制备薄膜的最佳工艺参数.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行分析.研究表明,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备ZnSnO3薄膜优化条件是氧气压30 Pa、沉积温度600℃,并使用ZnO作为缓冲层.优化条件下制备的ZnSnO3薄膜有良好的(006)取向,与ZnSnO3单晶衍射峰位置一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	郑林辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0
3	刘小辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0
4	房丽彬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0