串联晶闸管的同步触发技术研究

• 作者: 安珊 李晨辉 杨兰均 王维 马江波 黄东
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 晶闸管 串联 强触发 同步导通 延时 光纤
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 电网安全与运行
• 页码范围: 3274-3279
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20160405009

摘要

晶闸管虽然通流能力强,但是耐压普遍不高,为了实现晶闸管的串联使用,利用MOSFET的快导通和通流能力强的特性,搭建了一套能够实现光纤控制多只晶闸管同步导通的强触发平台.以4只2.5 kV耐压晶闸管串联为例,在实验平台上研究了触发电流峰值和前沿对晶闸管导通特性的影响,提出了间接光触发系统的设计结构和晶闸管同步性实验的一般性方案.实验结果表明:在工作电压确定的情况下,晶闸管的触发时延与门极触发电流有关,触发电流的峰值越大,前沿越陡,导通越快,触发时延越小;触发时延是可控的,可以通过调整触发电流对串联的各晶闸管进行阶梯型串联实验,逐步调整时延参数并实现4只晶闸管串联的同步强触发导通(对于微秒级导通过程,触发的同步性控制在30 ns以内).改进后的间接光触发系统和强触发技术,能有效地改善晶闸管的导通特性和同步性,对扩大晶闸管在脉冲功率中的应用具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨兰均		61	723	16.0	24.0
2	黄东		45	520	13.0	21.0
3	王维		33	127	6.0	10.0
4	安珊		2	45	1.0	2.0
5	马江波		2	0	0.0	0.0
6	李晨辉		1	0	0.0	0.0