高质量半绝缘Φ150mm 4H-SiC单晶生长研究

• 作者: 彭娟 彭燕 徐现刚 胡小波 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Φ150 mm 4H-SiC 数值模拟 PVT法
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 1145-1152
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2|O782
• 字数: 2878字
• 语种: 中文

摘要

采用数值模拟研究PVT法Φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数.研究表明Φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 kHz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内径向及轴向温度梯度的变化规律.在此基础上初步的进行了Φ150 mm 4H-SiC单晶的生长工作,获得了无裂纹、直径完整的高质量SiC衬底材料.拉曼光谱Mapping测量显示Φ150 mm SiC衬底全片无多型,均为4H-SiC晶型.X光摇摆曲线显示半宽小于30 arcsec.采用掺杂过渡金属V杂质,获得了电阻率超过5×109 Ω·cm的150mmSiC衬底.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	彭娟		9	55	3.0	7.0