芯片级 PHEMT热特性等效方法

• 作者: 尚永衡 徐秀琴 王志宇 莫炯炯 郁发新 郭丽丽
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 等效热分析 峰值温度 GaAs PHEMT MMIC ANSYS ICEPAK 红外热成像技术
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 机械与电气工程
• 页码范围: 2002-2008
• 页数: 7页
• 分类号: TN7
• 字数: 3235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2016.10.022

摘要

为了准确估计砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的单片微波集成电路（MMIC）的热特性，提出芯片级PHEM T的热特性等效方法。该方法通过PHEM T管芯结构等效，引入芯片版图和过孔的热扩散效应，建立芯片级热仿真模型，可以在不改变管芯横向热分布的情况下，大幅简化仿真模型的网格，有效提高芯片级管芯峰值温度的仿真精度和仿真速度。基于该热特性等效方法，在ANSYS ICEPAK中对一颗GaAs PHEMT MMIC（单片微波集成电路）功率放大器芯片和一颗GaAs PHEMT MMIC驱动放大器芯片进行建模和仿真。运用红外热成像仪对两颗芯片温度进行实测，仿真与实测的芯片PHEM T峰值温度具有良好的一致性。基于该芯片级PHEM T热特性等效方法可知，芯片热仿真所得的峰值温度与实测结果的误差控制在2％之内。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郁发新	浙江大学航空航天学院	44	270	7.0	15.0
2	王志宇	浙江大学航空航天学院	29	61	4.0	5.0
3	徐秀琴	浙江大学航空航天学院	4	2	1.0	1.0
4	莫炯炯	浙江大学航空航天学院	10	13	2.0	3.0
5	尚永衡	浙江大学航空航天学院	2	2	1.0	1.0
6	郭丽丽	浙江大学航空航天学院	3	10	1.0	3.0