碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较

• 作者: 乔锐 刘雅清 崔兴柱 张凌民 彭文溪 王晓华 郭东亚 魏志鹏
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC Geant4 辐射探测
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 页码范围: 1044-1048
• 页数: 5页
• 分类号: TL814
• 字数: 2665字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,而被视为制作耐高温和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料.本文采用Geant4模拟得到了30μm厚的SiC和Si材料对不同能量的电子、质子、α粒子以及X射线的响应,并对SiC和Si探测器器件的I-V特性和能谱测量结果进行了比较.仿真及试验结果证明,SiC粒子阻挡本领及X射线探测效率与Si探测器相当, SiC与Si探测器对带电粒子的能谱分辨率也没有明显差别.