硅材料中锑杂质含量的二次离子质谱检测方法

• 作者: 何友琴 王东雪 陈潇 马农农
• 来源期刊: 中国测试
• 关键词: 二次离子质谱法 锑杂质 质量数干扰 检测限
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 测试方法 -- 化学测试
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 字数: 3098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11857/j.issn.1674-5124.2016.08.011

摘要

针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测方法。最终结果表明二次离子质谱法对硅中锑杂质浓度的检测限可低至1×1013 atoms/cm3,相对标准偏差(RSD,n=10)为10.0%。研究结果对分析二次离子质谱检测中普遍存在的质量数干扰现象有参考价值,排查干扰离子的方法有广泛的适用性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何友琴		4	0	0.0	0.0
2	马农农		7	12	2.0	3.0
3	陈潇		5	2	1.0	1.0
4	王东雪		3	1	1.0	1.0