Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

• 作者: 张林 徐小波 王晓艳 胡辉勇 葛建华 谷文萍
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: Early效应 三极管 SPICE 积分电荷控制关系
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 1763-1771
• 页数: 9页
• 分类号: TN32
• 字数: 7525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.07.035

摘要

Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一，影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性。本文从Early效应的基本定义出发，综述了Early电压的起源，模型的发展及其在Si和SiGe电路仿真器中的应用。具体为：（1）综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程，然后针对SPICE的缺陷，描述了VBIC模型中针对Early效应的改进。（2）由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基区Ge组分引入。本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram、HICUM对SiGe HBT的建模思想，综述了将其用于建立Early电压模型的方法。（3）总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点。