AgGaS2多晶合成工艺改进研究

• 作者: 吴小娟 赵欣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫镓银 多晶合成 双温区
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 1608-1610,1618
• 页数: 4页
• 分类号: O77
• 字数: 1537字
• 语种: 中文

摘要

按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS2多晶合成的质量和成功率.经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS2单晶的生长提供了优质原料.