TiO2对V2O5离子储存电极薄膜性能的影响

• 作者: 巫玮珊 张薇 杨贵祥 梁小平 樊小伟 王军 王科翔 薛胜贤 陈鹏
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: V2O5 离子储存电极薄膜 溶胶-凝胶 TiO2掺杂 Ti源
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 140-145
• 页数: 6页
• 分类号: O646
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201605021

摘要

采用溶胶-凝胶技术制备出(TiO2)x-V2O5复合离子存储电极薄膜,主要研究了有机、无机Ti源,TiO2掺杂量(x为0、0.05、0.1、0.2、0.3 mol)等对V2O5薄膜结构与性能的影响.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外-可见光谱等手段研究了薄膜的表面形貌、电化学性能和光学性能.结果表明,TiO2掺杂降低了V2O5薄膜离子储存容量,采用无机Ti源四氯化钛较有机Ti源钛酸丁酯掺杂的复合薄膜具有更高的可见光透过率以及离子储存容量,与V2O5薄膜相比,透射率增大了20％.随着无机Ti源掺量增多,薄膜离子储存容量降低,但在循环过程中降低趋势减缓并逐渐保持稳定,50次循环后纯V2O5薄膜储存容量降低了25％,掺杂TiO2后平均降低16％,V2O5薄膜循环稳定性有所提高.TiO2掺杂显著降低了V2O5阴极的着色效应,随着TiO2掺量的增加,复合薄膜光透过性增强.