特高压直流输电线环境电/磁场暴露生物非热效应

• 作者: 伍思霞 凌平 徐雅倩 翟国庆 辛亮
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 静电场 非热效应 学习记忆 肝脏氧化应激 神经递质
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容
• 页码范围: 3689-3696
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20161031029

摘要

随着直流输电电压等级不断增加,输电线周围静电场水平随之升高,静电场生物效应备受关注.为此,研究了特高压直流输电线下静电场暴露对小鼠学习记忆及肝脏氧化应激的影响.将小鼠暴露于特高压直流输电线产生的强度分别为2.3～15.4 kV/m(实验组Ⅰ)、9.2～21.85 kV/m(实验组Ⅱ)和0kV/m(对照组)的静电场中35天.Morrs水迷宫实验结果显示,各组小鼠潜伏期在暴露期间无显著差异(显著性水平p＞0.05),暴露34天时,实验组Ⅱ小鼠目标象限停留时间百分比显著低于对照组(p＜0.05),对面象限停留时间百分比显著高于对照组(p＜0.01).神经递质测定结果表明,暴露期内各组小鼠海马谷氨酸和γ-氨基丁酸浓度均无显著差异(p＞0.05).肝脏氧化应激指标测定结果表明,2个实验组小鼠肝脏超氧化物歧化酶活性在暴露第7天和第35天显著高于对照组(＜0.01),而谷胱甘肽S转移酶、谷胱甘肽过氧化物酶和丙二醛等指标则无显著差异(p＞0.05).