本底真空对磁控溅射镍铬合金薄膜电阻的影响

• 作者: 唐俐 王小龙 胡东平
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 镍铬合金薄膜 磁控溅射 本底真空 电阻率 热处理
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 2015年度重庆市出版专项资金资助项目 -- 膜层材料与技术 Coating Material and Technology
• 页码范围: 143-149
• 页数: 7页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 3517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.07.024

摘要

目的：研究本底真空对溅射镍铬合金薄膜性能的影响。方法在不同溅射时间下制备了不同厚度的镍铬合金薄膜，采用4、6、8、10 h不同的抽真空时间制备薄膜样品，并在空气、氮气及真空气氛中，对同一工艺条件下制备的镍铬合金薄膜样品分别在300、400、500℃下进行热处理，所有样品分别测试方块电阻。结果不同厚度的镍铬合金薄膜的方块电阻与薄膜厚度之间存在非线性关系，样品的方块电阻随着溅射前抽真空时间的增加而降低。在真空和空气中进行热处理的薄膜的方块电阻变化规律一致，而在氮气中的则相反。结论本底真空残留气体对镍铬合金薄膜的氧化是引起薄膜电阻率增大的主要原因，即射频磁控溅射镍铬合金薄膜被氧化而使电阻率增大，随着溅射时间的增加，残留气体影响减小，导致电阻率降低。前期抽真空时间大于9 h，靶材溅射清洗时间大于110 min时，制备的镍铬合金薄膜电阻率才趋于稳定。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡东平	中国工程物理研究院总体工程研究所	15	79	6.0	8.0
2	唐俐	中国工程物理研究院总体工程研究所	4	12	2.0	3.0
3	王小龙	中国工程物理研究院总体工程研究所	10	20	3.0	4.0