不同靶基距下凹槽表面HIPIMS法制备钒膜的微观结构及膜厚均匀性

• 作者: 巩春志 李春伟 田修波 许建平
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率脉冲磁控溅射 靶基距 钒膜 微观结构 厚度均匀性
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 2015年度重庆市出版专项资金资助项目 -- 膜层材料与技术 Coating Material and Technology
• 页码范围: 122-127
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.07.021

摘要

目的：研究不同靶基距对高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）在凹槽表面制备钒膜微观结构和膜厚均匀性的影响，实现凹槽表面高膜层致密性和均匀性的钒膜制备。方法采用HIPIMS方法制备钒膜，在其他工艺参数不变的前提下，探讨不同靶基距对凹槽表面钒膜相结构、表面形貌及表面粗糙度、膜层厚度均匀性的影响。采用 XRD、AFM及 SEM 等观测钒膜的表面形貌及生长特征。结果随着靶基距的增加，V(111)晶面衍射峰强度逐渐降低。当靶基距为12 cm时，钒膜膜层表面粗糙度最小，为0.434 nm。相比直流磁控溅射（DCMS），采用HIPIMS制备的钒膜呈现出致密的膜层结构且柱状晶晶界不清晰。采用HIPIMS和DCMS方法制备钒膜时的沉积速率均随靶基距的增加而减少。当靶基距为8 cm时，采用HIPIMS方法在凹槽表面制备的钒膜均匀性最佳。结论采用HIPIMS方法凹槽表面钒膜生长的择优取向、表面形貌、沉积速率及膜厚均匀性均有影响。在相同的靶基距下，采用 HIPIMS 获得的钒膜膜厚均匀性优于DCMS方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巩春志	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	69	320	9.0	14.0
2	田修波	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	106	515	11.0	17.0
3	许建平	黑龙江工程学院材料与化学工程系	26	57	4.0	5.0