非规则边界条件对介质内带电的影响研究

• 作者: 唐小金 孙永卫 易忠 武占成 王松
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 介质内带电 非规则边界条件 局部接地 三维仿真 场强畸变
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 1537-1543
• 页数: 7页
• 分类号: V520.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2016.50.09.1537

摘要

采用三维仿真研究复杂介质结构深层充电问题，有利于发现由非规则边界条件造成的局部场强畸变点。本文给出了深层充电的三维仿真方案，并进行了实验验证。对正面局部接地情况下的电路板内带电进行了三维仿真，考察了局部接地边缘出现的场强畸变特征，并定量分析了金属走线边角曲率半径对畸变场强的作用规律。在地球同步轨道恶劣电子辐射环境下，2 mm厚屏蔽铝板下3 mm厚电路板的充电结果表明：电路板正面接地与非接地边线处存在显著的场强畸变增大现象，场强峰值较一维规则接地情况高出2个数量级，达到107 V／m量级。增大金属走线边角曲率半径可缓解局部泄漏电流密度的汇集效应，从而降低场强峰值。相关结论可为有效规避电路板内带电风险提供有益参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武占成	军械工程学院静电与电磁防护研究所	87	567	12.0	18.0
2	孙永卫	军械工程学院静电与电磁防护研究所	64	408	12.0	16.0
3	易忠		70	301	9.0	13.0
4	王松	军械工程学院静电与电磁防护研究所	19	74	6.0	7.0
5	唐小金		13	66	5.0	7.0