Sn掺杂Ⅰ型单晶笼合物Sr8Ga16Si30的能带及电子结构研究

• 作者: 程江 赵欣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热电材料 笼合物 能带结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 1504-1507,1513
• 页数: 5页
• 分类号: O472.7
• 字数: 2902字
• 语种: 中文

摘要

Ⅰ型Sr填充Si基单晶笼合物为具有较高热电性能的热电材料.基于第一性原理分别对Sr填充Si基笼合物Sr8Ga16Si30-xSnx(x=0、1、5、10)的能带结构和态密度进行计算,结果表明随着Sn原子含量的增加,笼合物晶格常数变大,带隙变小,Sn原子和Si原子的共同作用使得材料能带结构发生改变,Sn掺杂使得材料的带边结构不对称性加剧,表明其因具有较为优越的热电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程江	重庆文理学院新材料技术研究院	2	6	1.0	2.0