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摘要:
针对无源射频识别(RFID)传感器标签发展的需求,采用商业化互补金属氧化物(CMOS)工艺,设计了一种集成电容式压力传感器及其接口电路。集成压力传感器采用金属层M1作为下电极,牺牲的金属层M2作为间隙层,通过过孔连接的金属层M3和M4及其介质构成上电极。传感器接口电路基于锁相环原理,采用全数字结构,将传感器信号转移到频率域处理。后期测试结果显示,所设计的压力传感器线性度高,温度稳定性好,接口电路在1 V电源电压下,只消耗了0.6 mW功率,尤其适用于无源RFID标签的设计。
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文献信息
篇名 适用无源射频识别标签的集成压力传感器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 压力传感器 RFID标签 CMOS工艺
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 796-800
页数 5页 分类号 TP212.1
字数 2431字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.04.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李兵 湖南机电职业技术学院汽车工程学院 68 392 10.0 17.0
3 郭凤鸣 湖南机电职业技术学院汽车工程学院 21 39 4.0 4.0
6 邓芳明 合肥工业大学电气与自动化工程学院 20 203 8.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
压力传感器
RFID标签
CMOS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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