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摘要:
利用辉光放电质谱仪(GDMS)一次性直接测定ITO靶材中的主体元素和痕量元素.首先考察了ITO样品中的元素和Ar,H,O,N等气体元素形成的多原子离子干扰,利用X射线光电子能谱确定氧化铟锡靶材的主体元素In和Sn的组分,通过GDMS校正获得二者的相对灵敏度因子(RSF),从而对ITO中的In和Sn进行定量,并利用典型RSF对其他痕量元素进行半定量.测试的结果具有较好的准确度和精度.利用校正RSF和典型RSF相结合进行测试的方法同样适用于类似的掺杂的半导体材料.
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文献信息
篇名 辉光放电质谱法测定氧化铟锡靶材中的元素含量
来源期刊 分析试验室 学科 化学
关键词 辉光放电质谱法 ITO RSF
年,卷(期) 2016,(7) 所属期刊栏目 研究报告与研究简报
研究方向 页码范围 765-768
页数 4页 分类号 O657.63
字数 语种 中文
DOI 10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2016.0175
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辉光放电质谱法
ITO
RSF
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1982
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