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高纯锗谱仪探测效率的实验刻度与 MC 模拟
高纯锗谱仪探测效率的实验刻度与 MC 模拟
作者:
关伟
杨静
白万春
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高纯锗探测器
探测效率
Geant4
MC方法
摘要:
利用低本底高纯锗谱仪测量了标准源(133Ba、137Cs和60Co)的各特征γ射线,得到了各特征能量下的探测效率,并通过拟合给出了高能端的探测效率曲线。同时,利用MC模拟工具包Geant4,模拟了各单能γ射线在高纯锗探测器组件中的输运过程,得到了不同能量下的模拟探测效率。比对结果发现:实验值与模拟值能很好地符合,可为开展相关产品的设计和制造提供参考。
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篇名
高纯锗谱仪探测效率的实验刻度与 MC 模拟
来源期刊
核电子学与探测技术
学科
其他
关键词
高纯锗探测器
探测效率
Geant4
MC方法
年,卷(期)
2016,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
137-139,149
页数
4页
分类号
O582
字数
2031字
语种
中文
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探测效率
Geant4
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
核电子学与探测技术
主办单位:
中核(北京)核仪器厂
出版周期:
双月刊
ISSN:
0258-0934
CN:
11-2016/TL
开本:
大16开
出版地:
北京市经济技术开发区宏达南路3号
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
5579
总下载数(次)
9
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