掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响

• 作者: 何秋湘 孙继飞 李京伟 熊震 白枭龙 陈健
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Sn 位错 少子寿命 多晶硅 定向凝固
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 1458-1464
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4+1
• 字数: 4262字
• 语种: 中文

摘要

通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响.将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅(UMG-Si)中,定向凝固多晶硅.研究发现,硅锭位错密度沿轴向分布为中间低,底部和顶部高.在晶体硅中掺入Sn后,不影响硅的电学性能,但明显减少硅锭的位错密度.当掺入Sn含量为20 ppmw、50 ppmw和100 ppmw时,硅锭平均少子寿命由未掺Sn硅锭的0.81μs分别增加至1.22 μs、1.47 μs和1.31μs.掺Sn可减少位错密度和增加少子寿命,归因于替代位的Sn原子引入晶格应力,Sn易捕获空位V形成Sn-V对,抑制间隙原子形核.