电针神庭、百会对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力和LIM激酶1磷酸化的影响

• 作者: 卓沛元 吴洁 林云娇 林如辉 柳维林 王露露 陶静 黄佳
• 来源期刊: 中国康复理论与实践
• 学科: 医学
• 关键词: 脑缺血再灌注 电针 学习记忆 突触可塑性 LIM激酶1 磷酸化 大鼠
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 专题 电针康复机理研究
• 页码范围: 1246-1251
• 页数: 6页
• 分类号: R743.3
• 字数: 4499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9771.2016.11.002

摘要

目的：探讨电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注大鼠海马突触可塑性和学习记忆能力的影响，及其可能的机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠32只，随机分为假手术组、模型组、电针组、非穴组，每组8只。模型组、电针组、非穴组采用线栓法制备大鼠脑缺血120 min再灌注模型。电针组电针神庭、百会14 d，非穴组电针大鼠双侧胁下非经非穴14 d。采用Morris水迷宫检测学习记忆能力；电镜观察海马区突触形态；Western blotting检测海马LIM激酶1及其磷酸化水平。结果与假手术组比较，模型组大鼠逃避潜伏期明显增加(t>6.789, P<0.01)，穿越平台次数显著减少(t=8.695, P<0.001)，突触数减少，LIM激酶1总蛋白(t=7.568, P<0.01)及磷酸化水平下降(t=8.874, P<0.001)；与模型组比较，电针组大鼠平均逃避潜伏期明显减少(t>4.938, P<0.01)，穿越平台次数显著增多(t=-7.891, P<0.001)，突触数量增多，LIM激酶1总蛋白(t=-6.473, P<0.01)及磷酸化水平上升(t=-6.579, P<0.01)。非穴组各项指标与模型组比较无显著性差异(P>0.05)。结论电针神庭、百会穴可以改善脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力，可能与LIM激酶1磷酸化水平升高进而改善突触可塑性有关。