强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响?

• 作者: 邓发明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 6H-SiC 电子特性 激光照射 密度泛函微扰理论
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 107101-1-107101-10
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.107101

摘要

使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度Te在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体；带隙值随电子温度Te升高先是增大后又快速减小,当电子温度Te大于4.25 eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性.