光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

• 作者: 吴庆辉 吴锋 唐慧丽 徐军 罗平 苏良碧 钱小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge∶β-Ga2O3单晶 晶体生长 光学浮区法 电导率
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 1440-1444
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2781字
• 语种: 中文

摘要

采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.