漏/阻双模高性能D波段无源混频器

• 作者: 刘军 孙玲玲 张胜洲 文进才
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 漏/阻双模 D波段 共面波导(CPW) 变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 优良指数(FOMs)
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 自动化技术、通信工程
• 页码范围: 1815-1822
• 页数: 8页
• 分类号: TN773.2
• 字数: 4287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2016.09.24

摘要

介绍一种基于70 nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频(RF)和本振(LO)信号共用的匹配网络.测试结果表明:在漏极状态下,当射频频率从110 GHz变化到150 GHz、中频频率固定为1 GHz、本振信号功率设置为3 dBm时,转换增益位于-4.4～-11.6 dB;在阻性状态下,当射频频率从110GHz变化到150 GHz、中频频率固定为1 GHz、本振信号功率设置为0 dBm时,转换增益位于-8.0～-18.6 dB.包含焊盘在内,芯片面积为0.86 mm×0.43 mm.