不同栅压应力下1．8VpMOS热载流子退化机理研究

• 作者: 于朝辉 何骁伟 刘斯扬 刘玉伟 吴世利 孙伟锋 张春伟 张爱军 苏巍
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子 不同栅压应力 正反向退化
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 348-352
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.02.015

摘要

本文详细研究了不同栅压应力下1．8V pMOS器件的热载流子退化机理．研究结果表明，随着栅压应力增加，电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制，使得pMOS漏极饱和电流（Idsat ）、漏极线性电流（Idlin ）及阈值电压（Vth ）等性能参数退化量逐渐增加，但在Vgs ＝90％*Vds时，因为没有载流子注入栅氧层，使得退化趋势出现转折．此外，研究还发现，界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响，致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化，然而，正反向Idlin退化却相同，这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态．