CZTSe/Cd1-xZnxS界面能带结构研究

• 作者: 张超 李微 杨立 邓朝文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cd1-xZnxS CZTSe XPS测试 能带结构
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 2061-2066
• 页数: 6页
• 分类号: TM914
• 字数: 2931字
• 语种: 中文

摘要

严重的开路电压损耗是限制铜锌锡硫(硒)薄膜太阳电池性能提升的关键问题,其吸收层和缓冲层界面的能带结构有待进一步优化.针对此问题,本文对CZTSe/Cd1-xZnxS界面的能带结构进行了研究.首先,模拟计算了化学水浴法制备Cd1-xZnxS薄膜所需的溶液体系条件,通过椭偏仪和SEM测试结果分析了不同Cd/Zn比例的Cd1-xZnxS缓冲层形貌、光学特性以及禁带宽度.然后,对CZTSe/Cd1-xZnxS界面进行了XPS测试分析,发现CZTSe/Cd0.9Zn01S界面最为匹配,其导带失调值约为0.3 eV.最后对电池器件进行了制备与测试,得到的CZTSe/Cd0.9Zn0.1S结构的太阳电池比CZTSe/CdS结构具有更高的开路电压,达到了394 mV,转换效率达到了5.78％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张超	中国电子科技集团公司第十八研究所	55	113	5.0	8.0
2	杨立	中国电子科技集团公司第十八研究所	7	15	2.0	3.0
3	李微		4	2	1.0	1.0
4	邓朝文	中国电子科技集团公司第十八研究所	2	3	1.0	1.0