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摘要:
通过金属催化化学刻蚀的方法中的两步法制备出了具有阵列结构的硅纳米线,研究了不同刻蚀条件对硅纳米线形貌的影响,分析了形成不同形貌的原因.测定了不同条件下制备的硅纳米线的光吸收性能,总结了影响光吸收性能的因素和原因,根据硅纳米线的光吸收图求出了硅纳米线的禁带宽度,说明了硅纳米线已经具备不同于硅片的性能.
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硅纳米线
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热蒸发
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 硅纳米线的制备及其光学性能的研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 硅纳米线 金属催化化学刻蚀法 光吸收
年,卷(期) 2016,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1998-2002,2010
页数 6页 分类号 O47
字数 2815字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王金良 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院 24 125 7.0 10.0
2 陈亚婷 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院 1 4 1.0 1.0
3 陈泽升 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院 1 4 1.0 1.0
4 秦韶阳 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院 1 4 1.0 1.0
5 薄乾红 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院 1 4 1.0 1.0
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硅纳米线
金属催化化学刻蚀法
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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38029
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