电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响

• 作者: 张昌文 王培吉 邢丹旭
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SnO2 N掺杂 电子和空穴注入 光电性能
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 页码范围: 2908-2912
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 3433字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了电子、空穴对N掺杂SnO2光电性能的影响,结果表明注入空穴比注入电子的Sn16O31N体系禁带宽度减小了0.02 eV,比未注入电子、空穴的Sn16O31N体系变窄了0.04 eV,导带也相对展宽,体系呈现出半金属特性,SnO2材料导电性能有所提高.注入空穴的体系光学特性也发生了较大的变化,其吸收系数、能量损失函数及折射率在低能区域低于本征和电子注入体系,整个体系的态密度向低能方向移动发生了红移,吸收边变宽,体系的光学响应增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学物理学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学物理学院	16	124	8.0	11.0
3	邢丹旭	济南大学物理学院	1	0	0.0	0.0