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摘要:
利用单辊快淬法制备了CoFeNiSiB非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能.以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 mT弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/mT,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力.
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文献信息
篇名 高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器研制
来源期刊 传感器与微系统 学科 工学
关键词 巨磁阻抗 磁传感器 钴基非晶条带 灵敏度
年,卷(期) 2016,(8) 所属期刊栏目 设计与制造
研究方向 页码范围 84-86
页数 3页 分类号 TP212.1
字数 1424字 语种 中文
DOI 10.13873/J.1000-9787(2016)08-0084-03
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张延松 13 36 2.0 5.0
2 丁昂 10 12 2.0 2.0
3 钱坤明 10 45 3.0 6.0
4 唐家耘 4 6 2.0 2.0
5 黄敬晖 3 6 2.0 2.0
6 郝洁 4 13 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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磁传感器
钴基非晶条带
灵敏度
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期刊影响力
传感器与微系统
月刊
1000-9787
23-1537/TN
大16开
哈尔滨市南岗区一曼街29号
14-203
1982
chi
出版文献量(篇)
9750
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43
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