RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射

• 作者: 于芳 张东晓 李艳
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 现场可编程门阵列 寄存器传输级综合 片上随即存储器 工艺映射
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2660-2667
• 页数: 8页
• 分类号: TN47
• 字数: 4694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.11.014

摘要

RAM（Random-Access-Memory，随机存储器）是FPGA（FieldProgrammableGateArrays）片上最重要的宏单元之一，RTL（Register-Transfer-Level）综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用。本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来的技术难题，提出了一种RAM工艺映射方法，即建立工艺无关的RAM统一模型，在模型基础上通过建模、模式匹配、造价计算、绑定四步实现。该方法应用于RTL综合，可以将多种RAM源描述有效地映射到最佳类型和数量的FPGA片上RAM资源。实验数据表明采用该方法实现的RAM工艺映射效果和主流FPGA综合工具———Synplify和XST相当，该模块已经集成在自主开发的RTL综合工具———Hqsyn中并实现商用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳	中国科学院微电子研究所	73	935	16.0	28.0
2	于芳	中国科学院微电子研究所	28	112	6.0	9.0
3	张东晓		1	5	1.0	1.0