CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究

• 作者: 吴洁 陈东阳 陈晓娟
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: COMS反相器 低频噪声 可靠性 缺陷
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2646-2652
• 页数: 7页
• 分类号: TN94
• 字数: 4306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.11.012

摘要

为了表征CMOS反相器的可靠性，从其负载电流和输出电压的特性入手，详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型，并由实验数据验证了模型的准确性。由实验结果可知，负载电流功率谱密度随频率的增加而减小，遵循1／f噪声的变化规律；得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系。通过深入研究1／f噪声与界面态陷阱密度的关系，验证了1／f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性，证明了噪声幅值越大，器件可靠性越差，失效率显著增大，为评价CMOS反相器的靠性提供了一种可行及有效的方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓娟	长春理工大学电子信息工程学院	13	47	4.0	6.0
2	吴洁	北华大学电气信息工程学院	9	21	3.0	4.0
3	陈东阳	东北电力大学信息工程学院	2	20	2.0	2.0