磁控溅射铜薄膜微观结构对其电爆性能的影响?

• 作者: 代波 任勇 胡云钦 葛妮娜 邱林俊 魏贤华 龙震
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Cu薄膜 磁控溅射 桥箔 电爆性能
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 12152-12156
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TJ450.4
• 字数: 3623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.025

摘要

采用直流磁控溅射法在不同溅射功率和工作气压条件下沉积 Cu 薄膜,对其进行 X射线衍射、原子力显微镜、电阻率测试,分析了工艺参数对 Cu 薄膜的沉积速率、微观结构和电阻率的影响。通过紫外光刻技术将Cu薄膜制成桥箔,采用电爆测试平台获得Cu桥箔的电爆参数,研究了Cu薄膜的晶粒尺寸、择优取向对其电爆性能的影响。结果表明：随溅射功率的增大,Cu薄膜的沉积速率增加、晶粒尺寸增大、Cu(111)晶面择优取向特性变差,且电阻率降低；随溅射工作气压增大,Cu薄膜的沉积速率降低、晶粒尺寸减小、Cu(111)晶面择优取向越明显,且电阻率增加。对于相同桥区参数的 Cu 桥箔,晶粒尺寸越小,其爆发时刻就越早；Cu (111)晶面择优取向越明显,其爆发电流和峰值功率就会越大。