Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse

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Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse

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篇名	Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse
来源期刊	中国物理B（英文版）	学科
关键词	PHEMT electromagnetic pulse damage threshold empirical formula
年，卷（期）	2016,（8）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	458-462
页数	5页	分类号
字数		语种	中文
DOI	10.1088/1674-1056/25/8/088504

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