掺杂Rh离子SrTiO3晶体缺陷形成能和电子结构的研究

• 作者: 严非男 杨晨星 陈俊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Rh掺杂 SrTiO3晶体 缺陷形成能 电子结构
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 279-284
• 页数: 6页
• 分类号: O775
• 字数: 2493字
• 语种: 中文

摘要

使用CRYSTAL-09软件包模拟计算了完整SrTiO3晶体的电子结构以及Rh离子掺杂SrTiO3晶体的缺陷形成能和电子结构.结果表明Rh离子在晶体中将优先占据Sr格位;Rh掺杂SrTiO3晶体在禁带中出现了一个4d态杂质能级,导致禁带宽度减小,可见光区的光催化活性提高;解释了Rh掺杂SrTiO3晶体具有较高H2产量的原因机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊	上海理工大学理学院	21	54	4.0	6.0
2	严非男	上海理工大学理学院	24	37	4.0	5.0
3	杨晨星	上海理工大学理学院	3	17	3.0	3.0