加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响

• 作者: 周涛 周细应 张有为 杨涛 答建成 聂志云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 外加磁场 磁控溅射 GZO薄膜 晶体结构 光电性能
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3380字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO (GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93％,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3 Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7.36cm2 ·V-1 ·S-1增至9.53 cm2·V-1·S-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周细应	上海工程技术大学材料工程学院	114	777	15.0	25.0
2	杨涛	上海工程技术大学材料工程学院	8	45	2.0	6.0
3	答建成	上海工程技术大学材料工程学院	14	56	3.0	7.0
4	张有为	上海工程技术大学材料工程学院	13	43	2.0	6.0
5	周涛	上海工程技术大学材料工程学院	14	43	2.0	6.0
6	聂志云	上海工程技术大学材料工程学院	9	12	1.0	3.0