纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究?

• 作者: 张凤祁 王圆明 王燕萍 罗尹虹 郭晓强 郭红霞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 低能质子 纳米静态随机存储器 单粒子翻转 直接电离
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 328-337
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.068501

摘要

针对65,90,250 nm三种不同特征尺寸的静态随机存储器基于国内和国外质子加速器试验平台,获取了从低能到高能完整的质子单粒子翻转截面曲线。试验结果表明,对于纳米器件1 MeV以下低能质子所引起的单粒子翻转截面比高能质子单粒子翻转饱和截面最高可达3个数量级。采用基于试验数据和器件信息相结合的方法,构建了较为精确的复合灵敏体积几何结构模型,在此基础上采用蒙特卡罗方法揭示了低能质子穿过多层金属布线层,由于能量岐离使展宽能谱处于布拉格峰值的附近,通过直接电离方式将能量集中沉积在灵敏体积内,是导致单粒子翻转截面峰值的根本原因。并针对某一轨道环境预估了低能质子对空间质子单粒子翻转率的贡献。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凤祁	强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所	3	10	2.0	3.0
2	罗尹虹	强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所	2	5	1.0	2.0
3	郭红霞		2	5	1.0	2.0
4	王燕萍	强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所	1	5	1.0	1.0
5	王圆明	强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所	1	5	1.0	1.0
6	郭晓强	强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所	1	5	1.0	1.0