SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展

• 作者: 徐现刚 胡小波 郁万成 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 碳化硅 近自由态
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 1-9,14
• 页数: 10页
• 分类号: TQ028.3+8
• 字数: 7826字
• 语种: 中文

摘要

石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过SiC衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力.本文介绍了SiC热解法制备石墨烯的优势与劣势,说明了近自由态石墨烯制备的原因.综合阐述了目前制备近自由态石墨烯的常用方法,并对比了各种制备方法的特点.最后,概述了近自由态石墨烯的常用表征手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
4	郁万成	山东大学晶体材料国家重点实验室	3	11	2.0	3.0