延长EEPROM使用寿命的均匀磨损算法

• 作者: 叶恒 李世建 濮建福
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: EEPROM 均匀磨损 分区存储 断点检测 参数反转
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 嵌入式技术
• 页码范围: 188-190,193
• 页数: 4页
• 分类号: TN46
• 字数: 2831字
• 语种: 中文

摘要

EEPROM是电子擦除式存储器，具有非易失性的特点，被广泛使用在各种嵌入式系统中，但是由于其擦写寿命有限，约束了嵌入式系统的设计寿命。本文提出了一种延长EEPROM使用寿命的均匀磨损设计技术，通过分区存储、断点检测和参数反转，确保每个存储分区的使用次数保持基本一致，从而达到延长EEPROM使用寿命的目的。在3DEE4M08VS4145器件上进行了验证，试验结果验证了设计的可行性，可以将EEPROM的使用寿命延长约20倍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	濮建福		1	1	1.0	1.0
2	李世建		1	1	1.0	1.0
3	叶恒		1	1	1.0	1.0