基于 IGBT 的大功率 H 桥快控电源控制策略

• 作者: 任青华 姚列英 王英翘
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 水平场 IGBT H 桥 倍频 续流
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 095002-1-095002-5
• 页数: 1页
• 分类号: TL62
• 字数: 2025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.151077

摘要

为了控制快速变化的等离子体垂直位移,研制了基于 IGBT 的大功率 H 桥快速可控电源,额定参数为±500 V/±3 kA。旧的快控电源由于结构以及控制策略的原因,导致 IGBT 关断过电压高、工作频率低、续流过程不可控产生的电压宽脉冲等问题。针对这些不足,新的 H 桥快速控制电源首先重新设计了电源的结构,使其更加紧凑,减小了电源的寄生电感,从而降低了 IGBT 的关断过电压。其次,通过改变电源的控制方式,电源的工作频率达到 IGBT 开关频率的2倍,增大了电源输出电压的频率,等效提高了电源的快速响应能力。同时,为电源重新设计了一种可控的续流方式,通过对 IGBT 的控制改变电路的续流回路,使续流过程可控。通过实验研究可知,电源的响应时间为125μs,在等离子体位移发生变化时电流能够快速响应,控制等离子体位移,保证托卡马克装置的正常放电,并且通过新的续流控制方式,使电源在续流时不会再出现续流不可控导致的宽电压脉冲问题,输出电压能够有效地跟踪给定电压值变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王英翘		26	124	6.0	10.0
2	姚列英		39	171	6.0	11.0
3	任青华		5	7	2.0	2.0