B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 刘怀周 黄建华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低压化学沉积 B掺杂ZnO薄膜 透明导电氧化物 方块电阻 均匀性 绒面结构
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 236-240
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2852字
• 语种: 中文

摘要

采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响.结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1 Ω/□,导电能力显著增强,同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在60～ 90 sccm之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄建华	湖南理工职业技术学院太阳能工程系	14	24	3.0	3.0
2	刘怀周		2	8	2.0	2.0