品格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性

• 作者: 张丹丹 汪照贤 闫大为 顾晓峰
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 晶格匹配 InAlN/GaN异质结 欧姆接触 温度依赖特性 类金属特性 热场发射
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1130-1134
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972015-00896

摘要

在硅衬底晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(Rsh)和比接触电阻率(ρsc)的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的Rsh对温度呈指数依赖关系,幂指数约-2.61,主要由高温下半导体的晶格散射机制决定;(2) 300～523 K的变温范围内,ρsc随温度上升呈先增大后减小的趋势;当温度低于350 K时,ρsc的温度依赖关系主要由TiN合金的类金属特性决定;而在更高的温度下,热场发射机制将逐渐占主导.基于以上2种模型的并联形式对实验数据进行了拟合,并分析了提取的重要物理参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰		115	265	9.0	11.0
2	闫大为		15	3	1.0	1.0
3	张丹丹		11	65	5.0	8.0
4	汪照贤		1	0	0.0	0.0