一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展?

• 作者: 李岚 杨丰 杨丽丽 杨慧 王飞 贾若飞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 纳米线 CVD法 LED 光探测器
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 综述.进展
• 页码范围: 11034-11040
• 页数: 7页
• 分类号: TB383
• 字数: 4386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.007

摘要

一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势，本文主要论述一维 GaN 纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用 MOCVD、MBE、CVD 及模板法制备一维GaN纳米材料，重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维 GaN 纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态，讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。