磁控溅射四元靶材法制备17.5％效率CIGS电池研究

• 作者: 余新平 刘沅东 庄大明 张宁 欧阳良琦 赵明
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铜铟镓硒 磁控溅射 太阳电池 靶材 效率
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 页码范围: 2994-2998
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 2693字
• 语种: 中文

摘要

使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,CIGS)四元靶材制备沉积态预制膜,重点研究硒化时硒化氢(H2Se)浓度对吸收层晶粒尺寸以及电池性能的影响.研究表明,当H2Se浓度从1％提高到5％时,随着H2Se浓度的升高,吸收层晶粒尺寸增大,减少作为载流子复合中心的晶界缺陷,有利于提高电池开路电压和短路电流,最终提高电池效率.H2Se浓度从5％进一步提高到10％时,虽然晶粒尺寸进一步增加,但是表面镓含量下降导致表面禁带宽度降低,电池开路电压没有进一步提高.通过先硒化后硫化热处理工艺,可得到表面和底部禁带宽度高于吸收层内部的U型能带结构.硫化处理后,电池平均开路电压从539 mV提高至619 mV,电池平均效率从14.1％提高至15.9％.在制备减反层MgF2后,获得最高效率为17.5％的电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄大明	清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室	104	1374	22.0	32.0
2	赵明	清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室	75	574	13.0	21.0
3	刘沅东		3	6	1.0	2.0
4	张宁		5	7	1.0	2.0
5	余新平		4	6	1.0	2.0
6	欧阳良琦	清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室	6	7	1.0	2.0