CO2等离子体处理对SnO2∶ F/P-a-SiC∶H肖特基势垒调控

• 作者: 孙健 张德坤 张晓丹 李天天 王广才 赵颖
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CO2等离子体 FTO 肖特基势垒 非晶硅太阳电池
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 页码范围: 2988-2993
• 页数: 6页
• 分类号: TK513.5
• 字数: 3848字
• 语种: 中文

摘要

采用CO2等离子体(COP)处理FTO导电玻璃,通过控制处理时间进行FTO/p-a-SiC∶H肖特基势垒的调控.在实验中发现COP对FTO表面有轻微刻蚀作用并且会影响其绒度因子值.同时由于B-M效应的减弱会引起其在短波处的吸收比的增加.COP处理FT0会增加其表面的氧吸附,进而增加表面能.COP较长时间处理FTO会降低非晶硅电池在短波段的响应,通过测试J-V特性曲线发现,由于COP处理FTO可以使FTO的功函数增加0.18 eV,降低FTO/p-a-SiC∶H界面处肖特基势垒.COP处理的FTO前电极的电池Voc由未处理的0.92 V提高到处理后的0.99 V和FF由0.68提高到0.70.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵颖	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	105	1195	16.0	33.0
2	张晓丹	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	57	247	7.0	14.0
3	张德坤	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	13	40	4.0	6.0
4	孙健	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	13	152	5.0	12.0
5	王广才	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	5	5	1.0	2.0
6	李天天	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	0	0.0	0.0