不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究

• 作者: 刘思佳 李志山 杨敏 王书荣 蒋志 陆熠磊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 不同镉源 硫化镉薄膜 铜锌锡硫 薄膜太阳电池
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 2341-2346,2351
• 页数: 7页
• 分类号: O64
• 字数: 3965字
• 语种: 中文

摘要

目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源.本文将主要介绍用醋酸镉((Ch3COO)2Cd)、氯化镉(CdCl2)和硝酸镉(Cd(NO3)2)和硫酸镉(CdSO4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究.分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用.将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83％((Ch3COO)2Cd)、2.89％(CdCl2)、3.4％(Cd(NO3)2)、3.19％(CdSO4).