基于BP神经网络的低压差线性稳压器电磁干扰损伤模型

• 作者: 刘统 周长林 梁臻鹤 王振义 钊守国
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 电磁兼容 BP神经网络 遗传算法 电磁敏感度 低压差线性稳压器 直接功率注入法 电磁干扰
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 973-979
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20160310005

摘要

低压差线性稳压器(LDO)在电磁干扰影响下会发生不同程度的性能受损,进而影响到整个系统的电磁兼容性能.为解决这一问题,提出了一种基于误差反向传播(BP)神经网络的建模方法,并使用遗传算法优化网络初始权值与阈值矩阵.采用直接功率注入法设计电路板,在100 MHz～1 GHz频率范围、-15～25 dBmW功率范围内对LDO进行电磁干扰注入实验;采样LDO的输出作为训练数据,对不同结构的BP神经网络预测性能进行对比,选取合适的网络结构,进而构建LDO的电磁干扰损伤模型.从多个角度使用模型预测了电磁干扰对LDO输出数据和传导电磁敏感性的影响,并进行实验验证;最终采用该模型预测了LDO的传导电磁敏感度,并对比分析了模型预测数据和实验测试数据.结果表明,在100 MHz～2 GHz频率范围内,模型仿真输出与LDO测试输出的最大相对误差＜8％,模型仿真所得电磁敏感度与实验测试数据的最大相对误差＜9％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周长林		23	57	4.0	6.0
2	王振义		3	2	1.0	1.0
3	梁臻鹤		5	9	2.0	2.0
4	刘统		3	4	1.0	2.0
5	钊守国		4	8	2.0	2.0